Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA20JT12-247
TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA20JT12
GA20JT12-247 Hakkında
GA20JT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 20A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor'dür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 70mOhm maksimum drain-source direnci ve 282W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile enerji dönüşüm sistemleri, inverterler ve güç yönetim devrelerinde uygulanır. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Üretim durumu itibariyle kullanım dışı (obsolete) olup, alternatif çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok