Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA16JT17-247
TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA16JT17
GA16JT17-247 Hakkında
GA16JT17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V SiC (Silicon Carbide) Junction Transistor'dür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 16A sürekli drain akımı ve 1700V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum Rds(on) değeri ile ısı yönetimi optimize edilmiştir. 282W güç disipasyon kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı, endüstriyel invertör, güç kaynağı ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. Through-hole montajı ile PCB bağlantısı kolaydır. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) (90°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 16A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok