Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA10SICP12-263
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA10SICP12
GA10SICP12-263 Hakkında
GA10SICP12-263, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) tabanlı Junction Field Effect Transistör (JFET)'tir. D²Pak (TO-263-8) paketinde sunulan bu bileşen, 25A sürekli drain akımı ve 100mOhm (10A, Vgs koşullarında) on-state direncine sahiptir. 1403 pF giriş kapasitansı ve 175°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilmektedir. Güç disipasyonu maksimum 170W'dır. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve RF güç amplifikasyonu gibi alanlarda kullanılmaktadır. Surface mount montajına uygun yapısıyla modern elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok