Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- —
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA10JT12
GA10JT12-263 Hakkında
GA10JT12-263, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V SiC (Silicon Carbide) Junction Transistor'dür. 25A sürekli drain akımı, 120mOhm (10A'da) düşük on-direnci ve 170W maksimum güç tüketimi ile yüksek verimli güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Surface Mount paketlemeli bu bileşen, 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. Yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, inverter tasarımlarında, AC-DC dönüştürücülerinde ve endüstriyel güç kontrolü uygulamalarında tercih edilir. 1200V Vdss derecelendirmesi, orta ve yüksek voltaj sistemlerinde güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok