Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA10JT12-247
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA10JT12
GA10JT12-247 Hakkında
GA10JT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 10A SiC (Silicon Carbide) Junction Transistör'dür. TO-247-3 kasa tipinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletkenim kaybı sağlar. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında 170W güç yayınlayabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, UPS sistemleri, solar inverterler ve elektrik motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenir. Dikkat: Bu parça üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok