Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA100JT12-227
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA100JT12
GA100JT12-227 Hakkında
GA100JT12-227, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/160A Silicon Carbide (SiC) Junction Transistör'dür. SOT-227-4 miniBLOC paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı ve yüksek akımlı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10mOhm (100A'de) düşük Rds(On) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 535W güç dağıtabilen bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ve hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 100A |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok