Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA08JT17-247
TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA08JT17
GA08JT17-247 Hakkında
GA08JT17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V SiC (Silicon Carbide) tabanlı Junction Transistör'dür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli drenaj akımı ve 250mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 175°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilme kapasitesi sayesinde endüstriyel güç dönüştürücü, invertör ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum 48W güç tüketimi ile tasarlanan bu komponentin teknolojisi, geleneksel silikon transistörlerine kıyasla daha düşük kayıp ve hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Parça, güncel üretimde bulunmamakta ancak mevcut stok kolaylıkla temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) (90°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 8A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok