Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA06JT12-247
TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA06JT12
GA06JT12-247 Hakkında
GA06JT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V/6A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Junction Transistör'dür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 220mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ile enerji tasarrufu sağlar. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. İnverter, DC-DC dönüştürücü, motor sürücü ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Tekil montaj tipine sahiptir ve through-hole konfigürasyonu ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. SiC teknolojisi sayesinde klasik Si bileşenlere kıyasla daha düşük kapasitans ve daha hızlı anahtarlama özelliği sunar. Üretici tarafından üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) (90°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 6A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok