Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA05JT12-263
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA05JT12
GA05JT12-263 Hakkında
GA05JT12-263, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir Junction FET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-8 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 106W güç tüketim kapasitesine sahiptir ve 175°C'ye kadar sıcaklıkta çalışabilir. Surface mount montaj teknolojisini destekleyen GA05JT12-263, güç elektronikleri, invertörler, enerji dönüştürme devreler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Silikon karbür teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek verimlilik sağlar. Part status itibariyle üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok