Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA05JT12-247
TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA05JT12
GA05JT12-247 Hakkında
GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247, Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor teknolojisine dayalı bir güç MOSFET'idir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 106W maksimum güç dağılım kapasitesi ile yüksek sıcaklıklarda (175°C) çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük sızıntı akımı sunar. Enerji dönüşüm uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüler ve endüstriyel invertörler gibi alanlarda kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 5A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok