Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA05JT03-46
TRANS SJT 300V 9A TO46
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-206AB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA05JT03
GA05JT03-46 Hakkında
GA05JT03-46, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Junction Transistör teknolojisine dayalı bir MOSFET bileşenidir. 300V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 9A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-46 paketinde sağlanan bu transistör, -55°C ile +225°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 240mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 20W maksimum güç dissipasyonu kabiliyeti ile güç dönüştürme, şarj denetimleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Yüksek sıcaklık ve yüksek gerilim ortamlarında çalışan sistemlerde kullanım için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-46-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 5A |
| Supplier Device Package | TO-46 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok