Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA05JT01-46
TRANS SJT 100V 9A TO46
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-206AB
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA05JT01
GA05JT01-46 Hakkında
GA05JT01-46, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor'dür. 100V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-46-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 225°C arasında çalışabilir. 240mOhm maksimum Rds(On) değeri ile güç kaybını minimize eder. 20W maksimum güç tüketimi ile DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yer bulur. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ve hız gereksinimleri olan endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-46-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 5A |
| Supplier Device Package | TO-46 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok