Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA04JT17-247
TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA04JT17
GA04JT17-247 Hakkında
GA04JT17-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V SiC (Silicon Carbide) Junction Transistor'dür. 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu devre elemanı, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. 480mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında 106W güç dağıtabilen bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri başlıca uygulama alanlarıdır. Bileşen şu anda üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (95°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok