Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
GA03JT12-247
TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- GA03JT12
GA03JT12-247 Hakkında
GA03JT12-247, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V SiC (Silicon Carbide) Junction Transistor'dur. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 460mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C maksimum birleşim sıcaklığında ve 15W güç yayılımında çalışabilir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, motor sürücüler, güç dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Ürün şu anda piyasada mevcut değildir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) (95°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 3A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok