Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

G785-BSS123

MOSFET N-CH SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
G785-BSS123

G785-BSS123 Hakkında

onsemi G785-BSS123, N-channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 170mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 6Ohm maksimum Rds(On) değeri düşük kayıp uygulamalar için uygun özellikleri sunar. Gate threshold gerilimi 2V olup, ±20V gate gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel lojik seviyesi sürücü uygulamalarında kullanılır. Düşük input kapasitansi (73pF) ve düşük gate yükü (2.5nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 73 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok