Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G6N02L
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G6N02L
G6N02L Hakkında
G6N02L, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ile 6A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük on-dirençli (11.3mΩ @ 4.5V) tasarımı sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. SOT-23-3 yüzeye monte paketinde sunulan G6N02L, tüketici elektroniği, şarj cihazları, LED sürücüleri ve düşük güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı, geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok