Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G65P06D5
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G65P06D5
G65P06D5 Hakkında
G65P06D5, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V gate sürü geriliminde 18mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 8-PowerTDFN (4.9x5.75mm) yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 75nC gate yükü ve düşük giriş kapasitanası (5814pF @ 25V) hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetimi sistemleri ve anahtarlayıcı devreler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5814 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok