Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R75MT12K
G3R75MT12K Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R75MT12K, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 41A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, 90mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 207W maksimum güç tüketimine sahiptir. SiC teknolojisinin sunduğu düşük kayıp ve yüksek verimlilik özellikleri sayesinde güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve enerji dağıtım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 207W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 7.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok