Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R75MT12J
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R75MT12J
G3R75MT12J Hakkında
GeneSiC G3R75MT12J, 1200V drain-source voltaj kapasitesi ile tasarlanmış N-channel SiCFET (Silisyum Karbür) MOSFET'tir. 42A sürekli drain akımı ve 90mOhm maksimum on-resistance (Rds On) ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 54nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar. TO-263-7 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 224W güç dağıtabilir. Traction inverters, solar inverters, EV on-board chargers ve endüstriyel güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 224W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 7.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok