Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

G3R60MT07J

750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
G3R60MT07J

G3R60MT07J Hakkında

G3R60MT07J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 750V Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. TO-263-7 D²Pak (Drain²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. SiC teknolojisini kullanan bu FET, güç dönüştürme, inverter, welding sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yer alan anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ile yüksek voltaj kesintisiz güç kaynakları (UPS), traktör sürücüleri ve yenilenebilir enerji sistemlerinde uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 750 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Part Status Active
Supplier Device Package TO-263-7
Technology SiCFET (Silicon Carbide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok