Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R45MT17D
G3R45MT17D Hakkında
G3R45MT17D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1700V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 25°C sıcaklıkta 61A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 kasa tipi ile Through Hole montajına uygun olan bu transistör, güç dönüştürücüler, invertörler, şarj cihazları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 438W maksimum güç dağılımına dayanabilir. RDS(on) değeri 58mΩ'dur ve 182nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4523 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 438W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 40A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 8mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok