Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R450MT17J
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R450MT17J
G3R450MT17J Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R450MT17J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1700V Drain-Source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 585mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan G3R450MT17J, güç dönüştürme, motor kontrolü, UPS sistemleri, fotovoltaik invertörleri ve endüstriyel güç elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük kapı yükü (18nC @ 15V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 91W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok