Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R450MT17D
G3R450MT17D Hakkında
G3R450MT17D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltajlı güç uygulamalarında kullanılır. 585mΩ maksimum açık-kapı direnci (RDS On) ile enerji kaybını sınırlandırır. TO-247-3 kapsülü ile montaj yapılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Elektrik araçları, güneş enerjisi invertörleri, endüstriyel motor sürücüleri ve yüksek frekanslı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok