Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R40MT12K
G3R40MT12K Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R40MT12K, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-channel MOSFET transistördür. 71A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1200V drenaj-kaynak gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 48mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-247-4 paket tipinde olan bileşen, endüstriyel güç dönüştürücü, inverter, şarj cihazları, motor kontrol ve enerji dağıtım sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma aralığı sunmakta, 333W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±15V gate gerilimi ile kontrol edilebilir ve 106nC gate charge değeri hızlı anahtarlama uygulamalarında avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok