Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R40MT12J
G3R40MT12J Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R40MT12J, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 75A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 48mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, güç dönüştürme sistemleri, inverterler, solar enerji uygulamaları ve elektrik araç şarj sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. TO-263-7 paketleme ile yüzey montajı yapılabilen bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 374W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 374W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok