Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R40MT12D
G3R40MT12D Hakkında
G3R40MT12D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V N-Channel SiC MOSFET transistördür. 71A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük gate charge (106 nC) ve 48mΩ on-resistance değerleri ile verimli anahtarlama sağlar. ±15V gate sürü voltajı ile çalışan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 333W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok