Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R350MT12J
G3R350MT12J Hakkında
G3R350MT12J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen bir Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistörüdür. N-Channel konfigürasyonda tasarlanmış olan bu bileşen, 1200V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 420mOhm'luk on-state direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-7 paket tipinde sunulan cihaz, güç dönüştürücüleri, invertörler, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve otomotiv sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 334 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok