Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R350MT12
G3R350MT12D Hakkında
G3R350MT12D, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 420mOhm maksimum on-state direnci ve düşük gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar. Güç elektronikleri, yenilenebilir enerji sistemleri, elektrik araçları ve indüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 334 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok