Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R30MT12K
G3R30MT12K Hakkında
G3R30MT12K, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-kanal MOSFET transistördür. 90A sürekli dren akımı ve 1200V dren-kaynak gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 36mΩ maksimum on-direnci sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, ±15V gate gerilimi ile kontrol edilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 400W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel dönüştürücüler, güç kaynakları, şarj sistemleri ve elektrik motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3901 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 12mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok