Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R30MT12J
G3R30MT12J Hakkında
G3R30MT12J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojili N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 96A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 paket tipi ile SMD montajına uygundur. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ön direnci sağlar ve güç kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel inverter, solar konvertör, elektrikli araç şarj sistemleri ve yüksek frekanslı güç dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 459W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile termal yönetimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3901 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 459W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 12mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok