Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R20MT17N
G3R20MT17N Hakkında
G3R20MT17N, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1700V N-Channel SiC MOSFET transistörüdür. Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında düşük on-state direnci (26mOhm @ 75A, 15V) ile çalışmaktadır. 100A sürekli dren akımı kapasitesi ve 523W maksimum güç dağılımı ile güç dönüştürme, inverter ve anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. SOT-227-4 (miniBLOC) paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel elektrik uygulamaları, elektrikli araç şarj sistemleri, güneş enerjisi inverterleri ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10187 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 523W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok