Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R20MT17K
G3R20MT17K Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R20MT17K, 1700V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. N-channel konfigürasyonunda 124A sürekli drenaj akımı kapasitesi sunarak, 26mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. ±15V gate voltajı ile çalışan bu transistör, TO-247-4 SMD paketinde sunulmaktadır. Düşük kaptan kayıpları ve yüksek anahtarlama frekansı özellikleri ile enerji dönüşüm sistemleri, güç kaynakları, elektrikli araç şarj cihazları, solar inverterler ve endüstriyel güç uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 124A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 400 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10187 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 809W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok