Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-227-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R20MT12N
G3R20MT12N Hakkında
G3R20MT12N, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan N-channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 105A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 24mOhm (15V, 60A'de) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. SOT-227-4 (miniBLOC) kasa tipinde chassis mount olarak tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 365W güç dağıtımına dayanır. Endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, inverterler ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5873 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 365W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok