Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R20MT12K
G3R20MT12K Hakkında
G3R20MT12K, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 128A kapasiteli N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, 24mOhm maksimum açık direnç (Rds On) ile düşük enerji kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, 542W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisinin avantajlarından yararlanarak güç dönüştürücü devreleri, kaynak cihazları, hızlı şarj sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5873 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 542W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 15mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok