Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R160MT17J
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R160MT17J
G3R160MT17J Hakkında
G3R160MT17J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde N-channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source voltaj ve 22A sürekli drain akımı özellikleriyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, düşük 208mΩ on-state direnci ve 51nC gate charge değerleriyle anahtarlama devrelerinde etkin çalışır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir operasyon sağlayan bu transistör, inverted yapılı güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel motor kontrolü ve yüksek voltaj DC/DC dönüştürücülerinde tercih edilir. 187W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ısıl yönetimi iyileştirilmiş tasarımlara uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1272 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok