Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R160MT17D
G3R160MT17D Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R160MT17D, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1700V yüksek voltaj kapasitesi ve 21A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 208mΩ maksimum açık durumda direnç (RDS On) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Yüksek voltajlı güç dönüşüm uygulamaları, inverterler, şarj cihazları ve endüstriyel motor sürücüleri gibi alanlarda kullanılır. 51nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Through-hole montaj türü ile PCB'ye direkt takılı montaj yapılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1272 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok