Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R160MT12J
G3R160MT12J Hakkında
G3R160MT12J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V SiC (Silicon Carbide) MOSFET'tir. N-channel konfigürasyonda 22A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu transistör, 192mΩ maksimum on-direnci ve 128W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 28nC kapı yükü ve 730pF giriş kapasitansı özellikleri ile sunulan G3R160MT12J, güç dönüştürme uygulamaları, sürücü devreleri, indüktif yükleme anahtarlaması ve yüksek gerilim güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±15V kapı gerilimi aralığında çalışan cihaz, düşük anahtarlama kaybı gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 128W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 10A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok