Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3R160MT12
G3R160MT12D Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G3R160MT12D, Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde tasarlanmış bir N-channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source gerilim ve 22A sürekli akım kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 192mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük kayıplar sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel invertörler, solar inverter uygulamaları, EV şarj sistemleri ve elektrik motor sürücüleri gibi yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, hızlı anahtarlama özelliği ve düşük kapasite karakteristiği ile enerji verimliliği gerektiren sistemlerde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 123W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 192mOhm @ 10A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok