Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

G30N04D3

MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
G30N04D3

G30N04D3 Hakkında

G30N04D3, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V drenaj-kaynak gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücü devreler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.5mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-pin DFN (3x3) surface mount paketi, kompakt PCB tasarımlarına uygun şekilde geliştirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri bulunan bu transistör, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Standard
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1780 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok