Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3035L
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3035L
G3035L Hakkında
G3035L, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük gate charge (12.5 nC @ 10V) ve düşük on-resistance (59mOhm @ 2.1A, 10V) özellikleri sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi ile sunulan G3035L, güç yönetimi devreleri, yazmaç kontrolleri, batarya yönetim sistemleri ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. 1.4W maksimum güç saçılımı ile kompakt tasarımlara uyguntur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok