Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G3035
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G3035
G3035 Hakkında
G3035, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-state direnci (59mOhm @ 10V) ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan G3035, güç yönetimi, inverter devreleri, yük anahtarlaması ve boost/buck konvertörler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 1.4W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok