Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G2R50MT33K
G2R50MT33K Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G2R50MT33K, 3300V dayanımlı N-channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET transistördür. 63A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 340nC gate charge ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-4 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç elektroniği, inverter, DC-DC konvertör ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 3300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 340 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7301 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 536W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok