Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G2R120MT33J
G2R120MT33J Hakkında
G2R120MT33J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 3300V drain-source gerilim dayanımı ve 35A sürekli dren akımı özelliğiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 yüzey montajlı paket ile compact tasarımlar için uygundur. Rds(on) değeri 156mΩ (20A, 20V) ile minimal güç kaybı sağlar. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen bu bileşen, enerji dönüştürme, güç kaynakları, motor sürücü devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 3300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3706 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok