Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G2R1000MT33J
G2R1000MT33J Hakkında
G2R1000MT33J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 3300V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.2Ω maksimum on-direnci ile, güç dönüştürme, DC-DC konvertörleri, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel enerji yönetim uygulamalarında tercih edilir. TO-263-7 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 74W güç dağıtabilir. SiC teknolojisi sayesinde geleneksel Si MOSFET'lere kıyasla daha düşük kayıplar ve daha yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 3300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 238 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok