Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G2R1000MT17J
G2R1000MT17J Hakkında
G2R1000MT17J, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 1.2Ω (20V, 2A) maksimum on-state direnci ile verimli güç dönüştürme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 54W güç dağıtabilen bu transistör, güç elektronikleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde kullanılır. Düşük giriş kapasitansi (139pF @ 1000V) hızlı komütasyon özelliği ile anahtarlama kayıplarını azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok