Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G2R1000MT17D
G2R1000MT17D Hakkında
GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen G2R1000MT17D, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1700V drain-source gerilim dayanımı ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20V gate sürme gerilimi ile çalışır ve 1.2Ω maksimum kaynak-yol direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 53W güç saçma kapasitesi mevcuttur. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj sistemleri, motor kontrolü ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139 pF @ 1000 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok