Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

G16P03D3

P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
G16P03D3

G16P03D3 Hakkında

G16P03D3, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 10V ve 10A koşullarında 12mOhm olarak belirtilmiştir. 8-pin PowerVDFN paketinde sunulan bileşen, yüzey montaj uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 35nC@10V, input kapasitansi ise 1995pF@15V olup, hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1995 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (3.15x3.05)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok