Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G12P03D3
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G12P03D3
G12P03D3 Hakkında
G12P03D3, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi ve 12A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gerilimde 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN SMD pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 24.5nC gate charge ve 1253pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1253 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok