Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G1003A
G1003A Hakkında
G1003A, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 210mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 622 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok