Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
G01N20LE
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- G01N20LE
G01N20LE Hakkında
G01N20LE, Goford Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 850mOhm maksimum RDS(On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. 2.5V eşik gerilimi ile hızlı açılma-kapanma özelliği sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde gelmektedir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok